芯片描述
芯片特点
| ○ | 1k×14-bit OTP ROM | ○ | 48×8-bit SRAM | |
| ○ | 5级堆栈空间 | ○ | 可编程WDT预分频器 | |
| ○ | 可编程WDT时间（4.5ms、18ms、72ms、288ms），可控制WDT自由运行时间 | ○ | 带信号源选择、触发沿选择以及溢出中断的8位实时时钟/计数器（TCC） | |
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工作电压范围： 1.8V~5.5V（-0℃～70℃）；2.3V~5.5V（-40℃～85℃） |
○ |
工作频率范围（2分频）： 20KHz～10MHz @5V；20KHz～4MHz @3V；20KHz～2MHz @1.8V |
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| ○ |
低功耗： 小于2mA（4MHz/5V） 小于30A（32kHz/3V） 小于1A（睡眠模式，WDT关闭，LVD关闭） |
○ | 内置RC振荡电路：455kHz、1MHz、4MHz、8MHz | |
| ○ | 低压复位：1.8V±0.3V、1.6V±0.3V @25℃ | ○ | 低压检测（可复用为低压复位）：2.4±0.2V、2.7±0.2V、3.6±0.2V、3.9±0.2V @25℃ | |
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6个中断源： 外部中断 PWM中断 TCC溢出中断 LVD中断（可唤醒） WDT中断（可唤醒） 输入端口状态改变产生中断（可唤醒） |
○ |
双向I/O口： 11位可编程控制pull-high I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>，P0<3:0>） 7位可编程控制open-drain I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>） 11位可编程控制pull-low I/OS（P1<7:4>，P1<2:0>，P0<3:0>） |
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| ○ | 指令周期长度选择：2/4/8个振荡时钟 | ○ | 封装形式：SFM8P154BACO（SOP14）、 SFM8P154BACP（DIP14） |
芯片框图
