SFM8P1102/SFM8P1102B

芯片描述


SFM8P1102 是一个基于CMOS 技术的 8 位微控制器,其核心是一个嵌入式的8位 CPU , 片内包含80×8Bit 的SRAM,2k×16Bit OTP ROM,18 个输入/输出口(P21 为开漏输出)、中断控制器、片内RC 振荡器、内部晶体振荡器、定时器/计数器、看门狗电路、低压检测电路、数模转换电路、比较器/运放电路、脉宽调制电路。它是一个功能强大的微控制电路。主要应用于移动电源、高端智能充电器、电动车主控板等。

芯片特点

2k×16-bit OTP ROM   80×8-bit SRAM
8 级堆栈空间   可编程 WDT 预分频器
可编程 WDT 时间(4.5ms、18ms),可控制 WDT 自由运行时间   带信号源选择、触发沿选择、溢出中断及预分频器的 8 位实时时钟/计数(TCC)
工作电压范围:2.1V~5.5V(-0℃~70℃)2.3V~5.5V(-40℃~85℃)   工作频率范围(2 分频):
晶振模式:DC~16MHz,4.5V;DC~8MHz,3V; DC~4MHz,2.1V
ERC 模式:DC~2MHz,2.1V
IRC 模式:16MHz,4MHz,1MHz,8MHz
系统高低频率的界限是 400kHz   低功耗:
小于 1.5mA(4MHz/5V) 典型 15A  (32kHz/3V)
典型 2A(睡眠模式,WDT 关闭,LVD 关闭)
内置 RC 振荡电路:16MHz、1MHz、4MHz、8MHz   低压复位:4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃
低压检测:4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃   中断源:
TCC 溢出中断 (IDLE 模式唤醒)
外部中断 (SLEEP/IDLE 模式唤醒)
比较器输出状态改变中断 (SLEEP/IDLE 模式唤醒)
ADC 转换完成中断 (SLEEP /IDLE 模式唤醒)
PWM1~3 周期中断 (IDLE 模式唤醒)
PWM1~3 占空比中断 (IDLE 模式唤醒)
P0 端口输入状态改变中断 (SLEEP /IDLE 模式唤醒)
LVD 中断 (SLEEP /IDLE 模式唤醒)
双向 I/O 口:
17 位可编程控制 pull-high I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20)
16 位可编程控制 open-drain I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>)
17 位可编程控制 pull-low I/OS(P1<7:0>,P0<7:0>,P20)
14 位可编程控制 high-sink current I/OS  (P1<7:0>,P0<7:6>,P0<4:1>)
  指令周期长度选择:2/4/8/16 个振荡时钟
封装形式:DIP/SOP/SSOP20,DIP/SOP18      

芯片框图


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