芯片描述
芯片特点
| ○ | 2k×16-bit OTP ROM | ○ | 80×8-bit SRAM | |
| ○ | 8 级堆栈空间 | ○ | 可编程 WDT 预分频器 | |
| ○ | 可编程 WDT 时间（4.5ms、18ms），可控制 WDT 自由运行时间 | ○ | 带信号源选择、触发沿选择、溢出中断及预分频器的 8 位实时时钟/计数（TCC） | |
| ○ | 工作电压范围：2.1V~5.5V（-0℃～70℃）2.3V~5.5V（-40℃～85℃） | ○ |
工作频率范围（2 分频）： 晶振模式：DC~16MHz，4.5V；DC~8MHz，3V； DC~4MHz，2.1V ERC 模式：DC~2MHz，2.1V IRC 模式：16MHz，4MHz，1MHz，8MHz |
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| ○ | 系统高低频率的界限是 400kHz | ○ |
低功耗： 小于 1.5mA（4MHz/5V） 典型 15A （32kHz/3V） 典型 2A（睡眠模式，WDT 关闭，LVD 关闭） |
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| ○ | 内置 RC 振荡电路：16MHz、1MHz、4MHz、8MHz | ○ | 低压复位：4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V @25℃ | |
| ○ | 低压检测：4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V @25℃ | ○ |
中断源： TCC 溢出中断 （IDLE 模式唤醒） 外部中断 （SLEEP/IDLE 模式唤醒） 比较器输出状态改变中断 （SLEEP/IDLE 模式唤醒） ADC 转换完成中断 （SLEEP /IDLE 模式唤醒） PWM1~3 周期中断 （IDLE 模式唤醒） PWM1~3 占空比中断 （IDLE 模式唤醒） P0 端口输入状态改变中断 （SLEEP /IDLE 模式唤醒） LVD 中断 （SLEEP /IDLE 模式唤醒） |
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双向 I/O 口： 17 位可编程控制 pull-high I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20） 16 位可编程控制 open-drain I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>） 17 位可编程控制 pull-low I/OS（P1<7:0>，P0<7:0>，P20） 14 位可编程控制 high-sink current I/OS （P1<7:0>，P0<7:6>，P0<4:1>） |
○ | 指令周期长度选择：2/4/8/16 个振荡时钟 | |
| ○ | 封装形式：DIP/SOP/SSOP20，DIP/SOP18 |
芯片框图
